造成微电子电路损伤的模式

ESD放电造成微电子电路损伤的模式金属布线与扩散区(或多晶)接触孔产生火花，使金属和硅的欧姆接触被破坏。

使节点的温度超过半导体硅的熔点(1415℃)时,使硅熔解，产生再结晶，造成器件短路。

金属化电极和布线熔解、球化，造成电路开路。

大电流流过PN结产生焦耳热，使结温升高，形成热斑或热奔；

导致器件损坏静电放电引发的瞬时大电流(静电火花)引燃引爆易燃、易爆气体混合物或电火工品，造成意外燃烧、爆炸事故。

静电放电使人体遭受电击引发操作失误造成二次事故、静电场的库仑力作用使纺织、印刷、塑料包装等自动化生产线受阻。

第三类静电危害是由于静电放电的电磁辐射或静电放电电磁脉冲对电子设备造成的电磁干扰引发的各种事故。

一般说来，静电放电都是在微秒或钠秒量级完成的，因此这一过程是一种绝热过程；

放电瞬间通过回路的大电流，形成局部的高温热源。

对微电子器件而言，其静电放电能量通过器件集中释放，其平均功率可达几千瓦；

热量很难从功率耗散面向外扩散，因而在器件内形成大的温度梯度，造成局部热损伤，电路性能变坏或失效。